窒化物半導体の製造方法、窒化物半導体素子の製造方法及びそれを用いた窒化物半導体素子

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-392003
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198314
出願日： 2000年12月25日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】窒化物半導体のp型不純物濃度をドーピング量を増大させることなく高めることにより低抵抗化を図ると共に急峻なp型不純物プロファイルを得られるようにする。【解決手段】基板11の上には、MQW活性層19と、該MQW活性層19上に形成されたp型超格子キャップ層20とが形成されている。p型超格子キャップ層20は、窒化ガリウム(GaN)からなる第1層20aと該第1層20aの上に形成された窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)からなる第2層20bとが4周期分積層されて構成されている。第2層20bにおける第1層20aとの界面の近傍領域には、p型ドーパントの濃度が局所的に増大している。

請求項（抜粋）：

基板の上に、第1のIII 族源及び窒素を含むV族源を供給することにより、第1のIII 族窒化物からなる第1の半導体層を成長する第1の工程と、前記第1の半導体層の上に、前記第1のIII 族源と異なるIII 族元素を含む第2のIII 族源及び窒素を含むV族源を供給することにより、前記第1の半導体層の上に第2のIII 族窒化物からなる第2の半導体層を成長する第2の工程とを備え、前記第1の工程及び第2の工程のうちの少なくとも1つは前記基板上にp型ドーパントを供給する工程を含み、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との界面の近傍領域は、前記p型ドーパントの濃度が局所的に増大するように成長することを特徴とする窒化物半導体の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01S 5/323 610

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01S 5/323 610

Fターム (24件)：

5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD12 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045BB05 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA54 , 5F045DB02 , 5F073AA11 , 5F073AA13 , 5F073AA51 , 5F073AA71 , 5F073AA74 , 5F073AA77 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB19 , 5F073DA05

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