半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-351868
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201976
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】フィールド酸化膜形成時に同時に、ウェハの表面側のスクライブライン等にゲッタリング領域を形成する。【構成】 LOCOS法によりフィールド酸化膜4を形成する際、ゲッタリング領域8では、2000〜5000Å以上の膜厚の大きな窒化シリコン膜3を用いてシリコン基板1を選択酸化することにより、シリコン基板1にかかる応力を大きくして、シリコン基板1内にゲッタリング源となる結晶欠陥6を多量に誘起する。

請求項（抜粋）：

素子分離領域とこの素子分離領域で囲まれた素子形成領域とからなる素子領域及びこの素子領域の近傍部分を有する半導体基板の上に、上記素子領域を覆い且つ上記素子分離領域の部分に開口を有する第1の窒化シリコン膜と、この第1の窒化シリコン膜よりも大きな膜厚で上記素子領域の近傍部分を覆い且つその所定位置に開口を有する第2の窒化シリコン膜を形成する工程と、上記第1の窒化シリコン膜の上記開口及び上記第2の窒化シリコン膜の上記開口を通じて上記半導体基板の表面部分をそれぞれ酸化する工程と、上記第1及び第2の窒化シリコン膜を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/76 , H01L 21/322 , H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/76 S , H01L 21/94 A

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