透明導電膜、透明導電膜の形成方法、電子デバイスおよび電子機器

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：増田達哉 , 朝比一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-365262
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129420
出願日： 2003年10月24日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

【課題】抵抗値が低く、透明導電膜に接する層へ構成元素が拡散し難く、耐腐食性に優れる透明導電膜、かかる透明導電膜を形成し得る透明導電膜の形成方法、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。【解決手段】透明導電膜8は、導電性を有する無機酸化物を主とする第1の層9と、SiO2を主とする第2の層10とを有している。第1の層9は、導電性を有する無機酸化物を主とする導電性粒子91aで構成された多孔質膜91と、この多孔質膜91が有する空隙91bを埋めるように供給された導電性物質92を有している。導電性物質92は、導電性物質前駆体を変化させることにより生成されるもの、また、SiO2は、SiO2前駆体を変化させることにより生成されるものであるのが好ましい。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

導電性を有する無機酸化物を主とする第1の層と、該第1の層上に設けられ、SiO2を主とする第2の層とを有することを特徴とする透明導電膜。

IPC (3件)：

H01B5/14 , B32B9/00 , H01B13/00

FI (3件)：

H01B5/14 A , B32B9/00 A , H01B13/00 503B

Fターム (31件)：

4F100AA17A , 4F100AA20B , 4F100AA33A , 4F100AG00 , 4F100BA02 , 4F100BA03 , 4F100DD07A , 4F100DD20A , 4F100DE01A , 4F100DJ00A , 4F100EH461 , 4F100EH462 , 4F100EJ422 , 4F100EJ861 , 4F100GB48 , 4F100JB02 , 4F100JG01A , 4F100JG04A , 4F100JN01 , 4F100JN01A , 4F100JN01B , 4F100YY00A , 4F100YY00B , 5G307FA01 , 5G307FA02 , 5G307FB01 , 5G307FC10 , 5G323BA02 , 5G323BA04 , 5G323BB01 , 5G323BC01

引用特許：

出願人引用 (1件)

配向膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-158639 出願人：カシオ計算機株式会社

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