特許
J-GLOBAL ID：200903052401272025
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-241043
公開番号（公開出願番号）：特開平5-081865
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】選択によって出力データの語構成を変えることができる半導体記憶装置に関し、読出しの高速化を図る。【構成】出力データの語構成を1ビット構成とする場合にはセンスアンプ270〜273のいずれかを選択的に使用し、出力データの語構成を4ビット構成とする場合にはセンスアンプ280〜283を使用する。
請求項（抜粋）：
メモリセルアレイ部に対応して設けられた複数のデータバスのそれぞれに出力データの語構成の種類に応じて出力バッファとの接続の仕方を異にする複数のセンスアンプを接続し、これら複数のセンスアンプのうち、活性化するセンスアンプを、一又は複数のモード信号、あるいは、一又は複数のモード信号及び一又は複数のアドレス信号によって選択することにより、前記出力バッファを介して出力端子に得られる出力データの語構成を変更できるように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/34 301 E
, G11C 11/34 311
