特許

J-GLOBAL ID：200903052401717841

半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 芦塚 孝至 ,  安福 喜代志
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-194366
公開番号（公開出願番号）：特開2008-021923
出願日： 2006年07月14日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：

【課題】半導体発光素子の結晶性を向上させ、所望の光度を得ること。【解決手段】 AlGaInP系化合物半導体よりなり、発光層としてのダブルヘテロ層10および中間層9と、InGaP系化合物半導体よりなる窓層8とを備え、窓層の少なくとも一部が、その組成をIn(X)Ga(1-X)P(0.02≦X≦0.04)としてなる半導体発光素子H。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

AlGaInP系化合物半導体よりなり、発光層としてのダブルヘテロ層および中間層と、InGaP系化合物半導体よりなる窓層とを備え、 窓層の少なくとも一部が、その組成をIn(X)Ga(1-X)P(0.02≦X≦0.04)としてなる半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 B

Fターム (5件)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA37 ,  5F041CA58

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-238588   出願人：シャープ株式会社