特許

J-GLOBAL ID：200903052402877761

ZnO薄膜の製法およびそれを用いた整流素子の製法

発明者： 積 洋二 ,  岡村 健 ,  永仮 尚謙 ,  平野 眞一
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-133440
公開番号（公開出願番号）：特開平5-330823
出願日： 1992年05月26日
公開日（公表日）： 1993年12月14日
要約：

【要約】【目的】膜厚の小さい場合でもその膜厚方向の電極間の電流のリークがなく、薄膜及び界面の電気的特性が充分に発揮することのできる緻密で均一なZnO薄膜を作成することのできる方法を提供する。【構成】亜鉛アルコキシドまたは亜鉛アセチルアセトナートをRn N(CH2 CH2 OH)3-n (式中、Rは、H、CH3 、C2 H5 のいずれか、n=0〜2のいずれかの整数)で表されるエタノールアミンを含有する有機溶媒に溶解した後加水分解した溶液を、所定の基板表面に塗布し、酸化性雰囲気で500°C以上の温度で熱処理することにより緻密で均一なZnO薄膜を得る。また、基板としてp型半導体基板を用いることにより、p-n接合を形成し優れた整流作用を有する整流素子を得る。

請求項（抜粋）：

亜鉛アルコキシドまたは亜鉛アセチルアセトナートをRn N(CH2 CH2 OH)3-n (式中、RはH、CH3 、C2 H5 のいずれか、nは0〜2のいずれかの整数)で表されるエタノールアミンを含有する有機溶媒に溶解し加水分解した溶液を、所定の基板表面に塗布し、酸化性雰囲気で500°C以上の温度で熱処理することを特徴とするZnO薄膜の製法。

IPC (2件)：

C01G 9/02 ,  H01L 29/91