特許

J-GLOBAL ID：200903052414703270

酸化ガスによる急速熱アニールを用いた底部反射防止被覆

発明者： スティーブン,アラン・ディ ,  エクスターカンプ,マイケル・イー ,  ドーン,ジョナサン
出願人/特許権者： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-587467
公開番号（公開出願番号）：特表2003-534658
出願日： 2001年05月09日
公開日（公表日）： 2003年11月18日
要約：

【要約】基板層(105)上にゲート誘電体層(110,410)を形成するステップと、ゲート誘電体層(110,410)上にゲート導体層(115,415)を形成するステップとを含む方法を提供する。この方法はまた、ゲート導体層(115,415)上に無機の底部反射防止被覆層(120)を形成するステップと、急速熱アニールプロセスの間に、無機の底部反射防止被覆層(120)を酸化処理(130)で処理するステップとを含む。

請求項（抜粋）：

基板層(105)上にゲート誘電体層(110,410)を形成するステップと、 ゲート誘電体層(110,410)上にゲート導体層(115,415)を形成するステップと、 ゲート導体層(115,415)上に無機の底部反射防止被覆層(120)を形成するステップと、 急速熱アニールプロセスの間に、無機の底部反射防止被覆層(120)を酸化処理(130)で処理するステップとを含む、方法。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (4件)：

H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/302 105 A ,  H01L 29/58 G

Fターム (77件)：

4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD33 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD55 ,  4M104DD65 ,  4M104DD66 ,  4M104DD67 ,  4M104DD80 ,  4M104EE05 ,  4M104EE14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  4M104HH14 ,  5F004BA04 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EA12 ,  5F004EB08 ,  5F058BA20 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BF02 ,  5F058BF11 ,  5F058BH03 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG11 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG31 ,  5F140BG32 ,  5F140BG38 ,  5F140BG39 ,  5F140BG53 ,  5F140BG56 ,  5F140BH14 ,  5F140BH21 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04 ,  5F140CE14 ,  5F140CF04