特許

J-GLOBAL ID：200903052418111548

磁性薄膜メモリ素子及び磁性薄膜メモリ

発明者： 大池 太郎 ,  野口 潔 ,  佐藤 雄一 ,  荒木 悟 ,  篠浦 治
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-244992
公開番号（公開出願番号）：特開平9-091950
出願日： 1995年09月22日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 構成が単純で、消費電力が少なく、非破壊で情報を再生することができる磁性薄膜メモリ素子及び磁性薄膜メモリを提供することを目的とする。【解決手段】 磁化方向として情報を記録する磁性薄膜メモリ素子、該磁性薄膜メモリ素子の抵抗値の変化を検出するための読み出し線、該磁性薄膜メモリ素子に磁界を印加するための書き込み線を有する磁性薄膜メモリに於いて、前記磁性薄膜メモリ素子が、第1磁性層、非磁性層、第2磁性層、第3磁性層をを有する磁性薄膜からなり、前記磁性薄膜を構成する第3磁性層の保磁力が、第2磁性層の保磁力より大きく、第2磁性層と第3磁性層が交換結合していることを特徴とする磁性薄膜メモリ。

請求項（抜粋）：

第1磁性層、非磁性層、第2磁性層、第3磁性層をこの順で積層した磁性薄膜メモリ素子に於いて、第1磁性層及び第3磁性層の保磁力が、第2磁性層の保磁力より大きく、第2磁性層と第3磁性層が交換結合していることを特徴とする磁性薄膜メモリ素子。