特許

J-GLOBAL ID：200903052420606600

光導波路の製造方法

発明者： 鶴岡 泰治
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-010599
公開番号（公開出願番号）：特開平10-206666
出願日： 1997年01月23日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 光導波路を構成するクラッド層等の酸化層を、短時間で、高密度かつ高純度に形成する。【解決手段】 Siウエハ28の上面に下部クラッド層を形成するに当たり、先ず、Siウエハ28の上面部を、陽極酸化法により、ポーラスSi膜48に変質させる。そして、このポーラスSi膜48の酸化および溶融を行い、下部クラッド層としてのSiO2 膜52に変質させる。

請求項（抜粋）：

基板の上に下部クラッド層を形成し、該下部クラッド層の上にコア層を形成し、該コア層の上に上部クラッド層を形成する光導波路の製造方法において、前記下部クラッド層の形成は、(a)前記基板の上面部を陽極酸化法でポーラス膜に変質させる工程と、(b)前記ポーラス膜を酸化膜に変質させて前記下部クラッド層とする工程とを含むことを特徴とする光導波路の製造方法。