特許
J-GLOBAL ID:200903052420768147
半導体端面発光素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
泉名 謙治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-108557
公開番号(公開出願番号):特開平5-283737
出願日: 1992年04月01日
公開日(公表日): 1993年10月29日
要約:
【要約】【目的】半導体端面発光素子において、内部レーザ共振を防ぎ、高い出力とスペクトル変調の小さい出力光を得て安定に動作せしめる。【構成】出射端面の反対側の第2の端面の形状を凹面形状や、くさび形切り込み形状や、斜面部を設けることで、素子内部の逆進光31をそこで分散し、主に活性ストライプ部29への全反射光を減少せしめてレーザ共振を防ぐ。
請求項(抜粋):
半導体基板上に形成された活性層と、前記活性層を含むダブルヘテロ構造を備え、活性層の活性ストライプ部から発光し、その端面から光が出射する出射端面と、前記出射端面の反対側の第2の端面とを有する端面発光型ダイオード構造の半導体端面発光素子において、前記第2の端面の前記活性層に対応する部分の少なくとも一部の形状を前記出射端面と非平行としたことを特徴とする半導体端面発光素子。
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