特許

J-GLOBAL ID：200903052423851754

MoSi2を主成分とする発熱体及びその製造方法

発明者： 高垣 大輔 ,  高村 博
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 小越 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-042780
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243538
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 MoSi2 を主成分とする発熱体の耐久性を向上させること、及び製造工程時の欠陥発生を抑制することを課題をする。【解決手段】 MoSi2 を70%以上含有する発熱体において、発熱体の全体の平均密度と発熱体の径の1/5に相当する中心部との密度差(真密度比)が5%以下、好ましくは3%以下であるMoSi2 を主成分とする発熱体及び仮焼結の工程において昇温速度を適宜調節した温度パターンで焼結する同発熱体の製造方法。

請求項（抜粋）：

MoSi2 を70%以上含有する発熱体において、発熱体の全体の平均密度と発熱体の径の1/5に相当する中心部との密度差(真密度比)が5%以下であることを特徴とするMoSi2 を主成分とする発熱体。

IPC (4件)：

H05B 3/14 ,  B22F 3/14 ,  C04B 35/58 106 ,  C04B 35/64

FI (4件)：

H05B 3/14 D ,  C04B 35/58 106 A ,  B22F 3/14 101 B ,  C04B 35/64 E

Fターム (21件)：

3K092PP20 ,  3K092QA01 ,  3K092QB02 ,  3K092QB24 ,  3K092QB74 ,  3K092RA05 ,  3K092VV09 ,  3K092VV31 ,  4G001BA49 ,  4G001BB49 ,  4G001BC31 ,  4G001BC52 ,  4G001BC57 ,  4G001BC63 ,  4G001BD22 ,  4G001BE33 ,  4K018AA22 ,  4K018AD11 ,  4K018CA32 ,  4K018DA03 ,  4K018DA25