特許

J-GLOBAL ID：200903052424315546

半導体装置の製造方法

発明者： 中澤 敏志
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-144478
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349449
出願日： 2003年05月22日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】SiC基板上に堆積したSiを熱酸化する際に、SiC基板にまで酸化が及ぶのを防ぐ。【解決手段】シリコン膜2が形成されたシリコンカーバイド基板1を乾燥酸素ガス雰囲気中で900度を上限とする温度に曝し、シリコン膜2を熱酸化する。これによりシリコン膜2が酸化膜に変換され、酸化膜3が形成される。その後ゲート電極4を形成しMOS型半導体装置が形成される。本発明により良好な特性を示す、MOS構造を有するシリコンカーバイド半導体装置の製造が可能となる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

シリコンカーバイド表面にシリコン膜を堆積し、前記シリコン膜を900度以下で酸化する工程を有する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/316 ,  H01L29/78

FI (3件)：

H01L21/316 C ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G

Fターム (16件)：

5F058BA20 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC11 ,  5F058BF55 ,  5F058BF61 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA01 ,  5F140AC31 ,  5F140BA02 ,  5F140BD06 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07