特許
J-GLOBAL ID：200903052428175188
電荷転送素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-149332
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343439
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 ゲート電極上に層間絶縁膜を形成するときにゲート電極の酸化を防ぎ、ゲート電極が薄くなることによる抵抗の増加をなくすことである。【構成】 基板1上に第1の酸化膜3を形成し、この上にゲート電極となるポリシリコン膜を形成し、その上に第1の窒化膜を形成し、これをパターニングして第1のゲート電極4aの上に窒化膜の上部カバー5aを残し、さらにこの上に第2の窒化膜を形成した後にRIEを行なって平面部の窒化膜を除去して第1のゲート電極4aの側面に窒化膜の側面カバー6aを形成し、その後、窒化膜で被覆された第1のゲート電極4aをマスクにして第1の酸化膜をエッチング除去し、そこに新たに第2の酸化膜3bを形成し、その上に第2のゲート電極および第3の窒化膜を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に相互に間隔を隔てて配列された第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極の上面に形成された第1の窒化膜と、前記第1のゲート電極の側面に形成された第2の窒化膜と、前記絶縁膜,第1の窒化膜および第2の窒化膜の上に前記第1のゲート電極と一部が重なり相互に間隔を隔てて複数配列された第2のゲート電極と、前記第2のゲート電極の上面と側面に形成された第3の窒化膜とを有することを特徴とする電荷転送素子。
IPC (2件)：
H01L 21/339
, H01L 29/796
