特許

J-GLOBAL ID：200903052431431276

半導体装置

発明者： 都築 幸夫 ,  山岡 正美
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-210636
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116987
出願日： 1986年10月21日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子を熱破壊から確実に保護することのできる半導体装置を提供する事を目的とする。【解決手段】 その導通時に電流が流れることで高熱を発する半導体パワー素子が形成された半導体チップにおいて、半導体パワー素子形成領域の間の領域に該半導体パワー素子に挟まれるようにして、半導体パワー素子の発熱に基づく半導体チップの温度状況を検出する感熱素子部が配置される。

請求項（抜粋）：

その導通状態の際に電流が流れることで高熱を発する半導体パワー素子が形成された半導体チップにおいて、前記半導体チップの前記半導体パワー素子の形成領域の間の領域に配置され、前記半導体パワー素子の発熱状況を検出する感熱素子部を有する事を特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  G01K 7/02 ,  H01L 21/66 ,  H01L 23/58 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (7件)：

H01L 29/78 301 K ,  G01K 7/02 A ,  H01L 21/66 T ,  H01L 23/56 D ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/04 F ,  H01L 29/78 657 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭52-036484