特許

J-GLOBAL ID：200903052432315008

表面層の結晶化耐性を高めた非晶質合金薄帯およびその製造方法

発明者： 佐藤 駿 ,  山田 利男 ,  藤倉 昌浩 ,  大橋 渡
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 大関 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-248094
公開番号（公開出願番号）：特開平5-078796
出願日： 1991年09月26日
公開日（公表日）： 1993年03月30日
要約：

【要約】【目的】 非晶質合金固有の特性を保持したまま、非晶質合金薄帯の熱的安定性を改善する。【構成】 片面冷却法で作製される遷移金属半金属非晶質合金薄帯において、該薄帯の表面から板厚方向0.1μm 以下の薄い層にSn濃度がバルクに対して5倍以上のSn濃度偏析層を形成することにより、薄帯表面の結晶化耐性を高めた非晶質合金薄帯およびその製造方法。【効果】 結晶化開始の起点となる表面層の結晶化を抑えることにより、非晶質合金のすぐれた特性を高温まで保持出来る

請求項（抜粋）：

MaXbSicBdCeを主成分とし、該主成分に対しSnを0.01〜1.0重量%含有しており、片面冷却法で作製され、該薄帯の表面の深さ方向0.1μm以下の表面層に厚さ0.03μm以下、ピーク値がバルクの5倍以上のSn濃度偏析層を形成し、結晶化耐性を高めたことを特徴とする非晶質合金薄帯。ただし、MはFe、Co、Niの少なくとも1種、XはMo、Nb、Ta、W、Cr、V、Mn、Cuの少なくとも1種で、a:60〜90(原子%以下同じ)、b:0〜6、c:1〜19、d:7〜20、e:0〜4、a+b+c+d+e=100である。

IPC (8件)：

C22C 45/02 ,  B22D 11/06 360 ,  B22D 11/06 ,  C21D 6/00 ,  C22C 29/14 ,  C22C 45/04 ,  C22F 1/00 ,  H01F 1/153