特許
J-GLOBAL ID：200903052438776848
非単結晶シリコン系半導体膜の形成方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-118244
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333841
出願日： 1993年05月20日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 連続して移動する帯状基体上に形成される非単結晶シリコン系半導体膜の諸特性を均一化しかつ向上する。【構成】 帯状の被堆積用基体(103)と該被堆積用基体以外の成膜空間用壁部材(111)により成膜空間を形成し、該成膜空間内に原料ガスを導入し且つプラズマを生起して、被堆積用基体(103)を移動させつつ該被堆積用基体上に非単結晶シリコン系半導体膜を形成する方法において、膜形成時の壁部材(111)の温度を、被堆積用基体(103)の温度よりも低く保持することを特徴とする非単結晶シリコン系半導体膜を形成する方法。
請求項（抜粋）：
被堆積用基体と該被堆積用基体以外の成膜空間用壁部材により成膜空間を形成し、該成膜空間内に原料ガスを導入し且つプラズマを生起して、被堆積用基体を移動させつつ該被堆積用基体上に非単結晶シリコン系半導体膜を形成する方法において、膜形成時の前記壁部材の温度を、前記被堆積用基体の温度よりも低く保持することを特徴とする非単結晶シリコン系半導体膜を形成する方法。
IPC (2件)：
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