特許

J-GLOBAL ID：200903052443809010

半導体チップの生産方法及び半導体チップ

発明者： 田久 真也 ,  荒井 一尚
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  株式会社ディスコ
代理人 (1件)： 佐々木 功 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-194552
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016021
出願日： 2000年06月28日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】 抗折強度が高く、かつ、薄型の半導体チップを生産する【解決手段】 半導体ウェーハに形成されたストリートを切削して表面にダイシング溝を形成する溝形成工程と、ダイシング溝が形成された表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、少なくともダイシング溝に至るまで半導体ウェーハの裏面を研削し、200μm〜60μmの厚さのチップを形成するチップ形成工程と、形成されたチップの裏面を化学的エッチングにより15μm〜30μmエッチング除去するエッチング工程とから構成される半導体チップの生産方法を提供する。

請求項（抜粋）：

ストリートによって区画されて複数のチップ領域が形成された半導体ウェーハを個々のチップに分割する半導体ウェーハの分割方法であって、半導体ウェーハに形成されたストリートを切削して表面にダイシング溝を形成する溝形成工程と、該ダイシング溝が形成された該表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、少なくとも該ダイシング溝に至るまで該半導体ウェーハの裏面を研削し、200μm〜60μmの厚さのチップを形成するチップ形成工程と、形成されたチップの裏面を化学的エッチングにより15μm〜30μmエッチング除去するエッチング工程とから構成される半導体チップの生産方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/304 631

FI (4件)：

H01L 21/304 631 ,  H01L 21/78 S ,  H01L 21/78 R ,  H01L 21/78 Q

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-297056