特許

J-GLOBAL ID：200903052444828027

超電導ジョセフソン素子およびその製造方法

発明者： 大倉 健吾 ,  上羽 良信 ,  久貝 裕一 ,  奥田 伸之
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 亀井 弘勝 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-320282
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160450
出願日： 1991年12月04日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【構成】基板10上に第1の超電導体層11、絶縁膜13および第2の超電導体層12が順に積層されて形成されている。第1の超電導体層11および第2の超電導体層12はC60にカリウム(K)を添加した材料で構成されており、絶縁膜13はC60からなっている。【効果】C60をベースとした超電導体層11、12は低温で形成でき、しかも臨界温度が比較的高いので、広範囲に応用可能な高感度のジョセフソン素子を実現できる。また、第1および第2の超電導体層11,12ならびに絶縁膜13をいずれもC60をベースとした材料で構成しているから、接合面での格子の乱れを防止して、理想的なジョセフソン接合を達成できる。

請求項（抜粋）：

一対の超電導体間に絶縁膜を挟持させた超電導ジョセフソン素子において、少なくとも一方の超電導体を、炭素クラスタをベースとした材料で構成したことを特徴とする超電導ジョセフソン素子。

IPC (2件)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA