特許
J-GLOBAL ID：200903052446991901
モデルベース光近接補正用収束技術
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊東 忠彦
, 大貫 進介
, 伊東 忠重
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-148490
公開番号（公開出願番号）：特開2007-279759
出願日： 2007年06月04日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：
【課題】多重露光技術に使用可能なマスクのための改良型OPC技術を提供する。【解決手段】マッピングは、レチクル・フラグメントとターゲット・レイアウト・フラグメントの間に1対1の対応関係を形成するとは限らない。すなわち、多数のレチクル・フラグメントが一つのターゲット・レイアウト・フラグメントにマップされ得る。ターゲット・レイアウト・フラグメントに対するエッジ配置誤差は、対応したレチクル・フラグメントの位置決め補正を行うために使用される。エッジ配置誤差は、例えば、レチクルを使用する製造プロセスをシミュレートするシミュレーション処理を用いて判定される。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
フォトリソグラフィ処理によりウエハーにターゲット・パターンの特徴を転写するように用いられる2つ又はそれ以上のレチクル・レイアウトにおける光及びプロセス補正を行う方法であって:
前記2つ又はそれ以上のレチクル・レイアウトにおけるパターンを複数のエッジ・フラグメントに分割する段階;
前記ターゲット・パターンを複数のエッジ・フラグメントに分割する段階;
前記ターゲット・パターンにおけるエッジ・フラグメントに前記2つ又はそれ以上のレチクル・レイアウトにおけるエッジ・フラグメントをマッピングする段階であって、
前記ターゲット・パターンにおける位置を選択し、
前記2つ又はそれ以上のレチクル・レイアウトにおける前記エッジ・フラグメントをマッピングするように潜在的なエッジ・フラグメントとして前記位置の所定の距離の範囲内にある前記ターゲット・パターンにおけるエッジ・フラグメントを決定し、
前記2つ又はそれ以上のレチクル・レイアウトにおけるエッジ・フラグメントをマッピングするように前記ターゲット・パターンにおいて1つ又はそれ以上の前記潜在的なエッジ・フラグメントを選択する、
段階;
前記2つ又はそれ以上のレチクル・レイアウトが、ウエハーにおける前記ターゲット・パターンをどのように転写するかをシミュレートし、そして前記シミュレートされた転写におけるエッジ・フラグメントの誤差を決定する段階;並びに
前記誤差を減少するように、前記2つ又はそれ以上のレチクル・レイアウトにおいて前記マッピングされたエッジ・フラグメントの前記位置を移動させるように光及びプロセス補正を実行する段階;
を有する方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (1件)：
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