特許
J-GLOBAL ID：200903052452354131
サージ吸収素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-236658
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068247
出願日： 1999年08月24日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 静電容量が小さく、複雑な工程を必要としない表面実装型のサージ吸収素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 一対の外部電極1を有する絶縁性セラミックス層の積層体内部2に、外部電極1と導通した一対の内部電極層3及び該内部電極層3を貫いて形成された放電空間を有し、前記内部電極層3間が少なくとも3層以上の絶縁性セラミックス層からなることを特徴とするサージ吸収素子。
請求項（抜粋）：
一対の外部電極を有する絶縁性セラミックス層の積層体内部に、外部電極と導通する一対の内部電極層を有し、かつ、該内部電極層間が少なくとも3層以上の絶縁性セラミックス層からなることを特徴とするサージ吸収素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01T 4/10 G
, H01T 4/12 F
