特許
J-GLOBAL ID：200903052454569844
化学気相成長法および化学気相成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-320974
公開番号（公開出願番号）：特開平6-158329
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年06月07日
要約：
【要約】【目的】 緩やかに反応する2種類の反応ガスをあらかじめ混合し、急速に反応する反応ガスを基板表面近傍で混合することにより、ガス配管やガスノズル内に固形物が堆積すること無く、良好な品質の膜を形成する手段を提供する。【構成】オゾンガス発生器10で発生させた0.5%のオゾンガスと、恒温容器11内に充填したTEOSを窒素バブリング法で生成したTEOSガスとをガス混合器15で混合し、ガスノズル21まで導く。オゾン発生器9で発生させた5%のオゾンガスは、他のガスとは別にガスノズル21へ導かれ、基板23の表面近傍で混合される。基板23状には、良好な膜質でフロー形状を有する酸化ケイ素膜が得られ、しかも、保温配管17やガスノズル21の内部への白粉の堆積は無く、パーティクルが増加するようなことも無い。
請求項（抜粋）：
第1の原料ガスと第2の原料ガスとの混合ガスをガス混合器にて生成し、該混合ガスと第3の原料ガスとを被処理物表面近傍で混合し、膜形成を行うことを特徴とする化学気相成長法。
IPC (5件)：
C23C 16/44
, C23C 16/40
, C30B 25/12
, C30B 25/14
, H01L 21/31
