特許

J-GLOBAL ID：200903052455676717

半導体装置

発明者： 増利 賢治 ,  細井 義博 ,  小島 久嗣 ,  藺牟田 一仁 ,  松本 弘
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-094980
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288425
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体素子が作動時に発する熱を外部に良好に放散できる半導体装置を提供する。【構成】半導体素子3を外部電気回路に接続する複数個の外部リード端子2と、絶縁基体1、半導体素子3及び外部リード端子2の一部を被覆するモールド樹脂6とから成る半導体装置であって、前記絶縁基体1の表面粗さをJISーBー0601に規定の中心線平均粗さ(Ra)で0.5μm≦Ra≦2.0μmとし、且つ表面の2.5mmの長さにおける凹凸の高さ(Pc)のカウント値を0.05μm≦Pc<0.1μmが10個乃至90個、0.1μm≦Pc<0.5μmが10個乃至90個、0.5μm≦Pc<1.0μmが60個以下、1.0μm≦Pc<5.0μmが30個以下とする。

請求項（抜粋）：

上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部及び該搭載部周辺から外周部にかけて扇状に導出する複数個の配線層を有する絶縁基体と、前記絶縁基体の半導体素子搭載部に搭載され、電極が前記配線層の一端に接続されている半導体素子と、前記配線層の他端に取着され、半導体素子を外部電気回路に接続する複数個の外部リード端子と、前記絶縁基体、半導体素子及び外部リード端子の一部を被覆するモールド樹脂とから成る半導体装置であって、前記絶縁基体の表面粗さをJISーBー0601に規定の中心線平均粗さ(Ra)で0.5μm≦Ra≦2.0μmとし、且つ表面の2.5mmの長さにおける凹凸の高さ(Pc)のカウント値を0.05μm≦Pc<0.1μmが10個乃至90個、0.1μm≦Pc<0.5μmが10個乃至90個、0.5μm≦Pc<1.0μmが60個以下、1.0μm≦Pc<5.0μmが30個以下としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/373

FI (4件)：

H01L 23/28 A ,  H01L 23/28 B ,  H01L 23/36 A ,  H01L 23/36 M

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-196153