特許

J-GLOBAL ID：200903052458502353

YSZとPtとからなる積層体及びその製造方法

発明者： 星 英夫
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 川北 喜十郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-079957
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277818
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 Si(100)基板上に、YSZ膜及びPt膜をそれぞれ(100)に配向させて形成された積層体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Si(100)基板をサーマルエッチングすることによって、Si基板表面を粗くする。具体的には、Si基板上にYSZ膜を真空蒸着法で成膜させたときに、YSZ膜の表面粗さRrmsが2.5nm〜25nmになるようにSi基板を粗くする。この表面粗さをYSZ膜上に形成すれば(100)に配向したPt膜を容易に成膜することができる。Pt膜上にPZT焦電体薄膜を(100)に配向させて成膜することにより高感度な赤外線センサーを提供することができる。

請求項（抜粋）：

Si基板上に、イットリア安定化ジルコニア層を介してPt膜が形成された積層体において、上記Si基板、イットリア安定化ジルコニア層及びPt膜がそれぞれ(100)に配向していることを特徴とする積層体。

IPC (3件)：

H01L 37/02 ,  G01J 1/02 ,  H01L 29/43

FI (3件)：

H01L 37/02 ,  G01J 1/02 Y ,  H01L 29/46 R

Fターム (13件)：

2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA13 ,  2G065BA14 ,  2G065DA20 ,  4M104AA01 ,  4M104BB06 ,  4M104DD24 ,  4M104DD28 ,  4M104DD34 ,  4M104EE02 ,  4M104EE16 ,  4M104GG20