特許

J-GLOBAL ID：200903052464049300

急速熱N2処理による、Si(100)上の超薄窒化物の成長

発明者： チョンホン ルー ,  シン ピン テイ
出願人/特許権者： マットソン サーマル プロダクツ インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫 ,  橋本 傳一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-546248
公開番号（公開出願番号）：特表2004-507071
出願日： 2000年12月21日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

急速熱処理(RTP)システム(160)中において、窒素含有ガス中でシリコン含有ウエハ(110)を、そのウエハ表面上の酸化物薄膜が少なくとも部分的に分解し、かつ窒化物薄膜または酸窒化物薄膜が成長する温度および時間まで加熱する。

請求項（抜粋）：

シリコンを含有する半導体ウエハの表面上に膜を生成させる急速熱処理(RTP)のための方法であって、 a)RTPシステムの処理室中にウエハを導入するステップと、 b)少なくとも1つの窒素含有ガスからなる雰囲気であり、この雰囲気が、このウエハ表面上の第1の薄膜から少なくとも部分的に酸素を除去するような、十分に酸素含有ガスを除いたものであり、および、窒素含有ガスからの窒素がこの表面と反応し、かつこの半導体ウエハ表面上の第1の薄膜中に取り入れられる雰囲気内で、1050°Cを超える温度Tまで半導体ウエハを急速加熱するステップとを含むことを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L21/318 ,  H01L21/283 ,  H01L29/78

FI (3件)：

H01L21/318 A ,  H01L21/283 B ,  H01L29/78 301G

Fターム (27件)：

4M104AA01 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BF56 ,  5F058BF64 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD06 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE19 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF16