特許

J-GLOBAL ID：200903052471690622

高耐圧半導体装置

発明者： 大場 正隆
出願人/特許権者： 東洋電機製造株式会社
代理人 (1件)： 玉蟲 久五郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-292010
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116133
出願日： 1995年10月13日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【目的】 圧接構造を有する高耐圧半導体装置において、高精度な塗布用の装置を特に必要とせずに、安価に電極部への絶縁物の流入を防止でき、これによって圧接に伴なう偏圧接を防止し、かつ従来の余裕シロを大幅に縮小して単位面積当たりの電流容量の増加が図れ、小型、軽量化に寄与する高耐圧半導体装置を提供することにある。【構成】 外周端面加工部に露出する接合表面を包含するように表面絶縁膜を形成した円板状圧接形半導体基板において、半導体基板の一表面上の外周縁付近にリング凸状部またはリング凹状部を設けて表面絶縁膜を形成し、リング凸状部としてアルミニウム、或いはポリイミド樹脂で形成し、リング凹状部を半導体基板表面の酸化膜を除去して形成し、或いはまた、リング凸状部と凹状部を半導体基板の外周と同心状に設けた高耐圧半導体装置としての構成を有する。

請求項（抜粋）：

外周端面加工部に露出する接合表面を包含するように表面絶縁膜を形成した円板状圧接形半導体基板において、少なくとも半導体基板の一表面上の外周縁付近にリング凸状部またはリング凹状部を設けて表面絶縁膜を形成したことを特徴とする高耐圧半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/74 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/62 ,  H01L 29/68

FI (5件)：

H01L 29/74 L ,  H01L 21/52 ,  H01L 29/68 ,  H01L 23/56 A ,  H01L 29/74 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-087767
  
• 特開昭62-145772
  
• 特開平3-181174