特許
J-GLOBAL ID：200903052475063827
発光半導体素子用透光性電極の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-196025
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040853
出願日： 1997年07月22日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光素子用の透光性の電極において、電気特性を改善された、オーミック性でより小さな接触抵抗の接触面を安定して実現する事ができ、かつ、広い範囲の熱処理温度で透光性の電極を安定して簡便に作製することのできる透光性電極の作製方法を提供する。【解決手段】 本発明の発光半導体素子用透光性電極の作製方法は、半導体表面上に、Au、Pt、Pdのうちから選ばれた少なくとも1種類の金属と、Ni、Ti、Sn、Cr、Co、Zn、Cu、Mg、Inのうちから選ばれた少なくとも1種類の金属とを含有する合金からなる金属薄膜層を形成する第1の工程と、該金属薄膜層を酸素を含む雰囲気中で熱処理する第2の工程とを含む。特に、半導体をGaN系化合物半導体とする。
請求項（抜粋）：
半導体表面上に、Au、Pt、Pdのうちから選ばれた少なくとも1種類の金属と、Ni、Ti、Sn、Cr、Co、Zn、Cu、Mg、Inのうちから選ばれた少なくとも1種類の金属とを含有する合金からなる金属薄膜層を形成する第1の工程と、該金属薄膜層を酸素を含む雰囲気中で熱処理する第2の工程とを含む発光半導体素子用透光性電極の作製方法。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
