特許

J-GLOBAL ID：200903052476115383

透明導電膜の製造方法

発明者： 石割 秀敏 ,  星野 淳之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-032431
公開番号（公開出願番号）：特開平5-232488
出願日： 1992年02月20日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 In2 O2 とSnO2 の化合物をスパッタ法により堆積する方法に関し,低抵抗,透明かつ密着性が良い透明導電膜を堆積することを目的とする。【構成】 Ar及び酸素の混合ガス雰囲気中でするスパッタ法により,絶縁基板1上にIn2 O2 とSnO2 との化合物からなる透明導電膜2を堆積する透明導電膜の製造方法において,該透明導電膜2は上層2b及び下層2aの2層からなり,該透明導電膜2の該上層2bを堆積するときの該雰囲気は,該透明導電膜2の該下層2aを堆積したときよりも酸素濃度が低いことを特徴として構成する。

請求項（抜粋）：

Ar及び酸素の混合ガス雰囲気中でするスパッタ法により,絶縁基板(1)上にIn2 O2 とSnO2 との化合物からなる透明導電膜(2)を堆積する透明導電膜の製造方法において,該透明導電膜(2)は上層(2b)及び下層(2a)の2層からなり,該透明導電膜(2)の該上層(2b)を堆積するときの該雰囲気は,該透明導電膜(2)の該下層(2a)を堆積したときよりも酸素濃度が低いことを特徴とする透明導電膜の製造方法。