特許
J-GLOBAL ID:200903052483425053
半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
伊藤 洋二 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-305228
公開番号(公開出願番号):特開2002-110893
出願日: 2000年10月04日
公開日(公表日): 2002年04月12日
要約:
【要約】【課題】 熱応力に起因する半導体チップと導体部材とを接合している接合部材に対する応力の集中を緩和した半導体装置を提供する。【解決手段】 各半導体チップ1、2の表面1a、2aにEヒートシンク3が半田4により接合され、裏面1b、2bに第2の導体部材5が半田4により接合され、Eヒートシンク3の表面3aに第3の導体部材6が半田4により接合されている。Eヒートシンク3には段差部3cが設けられて薄肉部3dが形成されており、Eヒートシンク3と各半導体チップ1、2との接合面積よりEヒートシンク3と第3の導体部材6との接合面積が小さくなっている。第2の導体部材5の裏面5bと第3の導体部材6の表面6aとが露出した状態で、各部材1〜8が樹脂封止されている。
請求項(抜粋):
半導体チップ(1、2)と、前記半導体チップの素子形成面(1a、2a)に電気伝導性を有する第1の接合部材(4)を介して接合された第1の導体部材(3)と、前記半導体チップの素子形成面とは反対側の面(1b、2b)に電気伝導性を有する第2の接合部材(4)を介して接合された第2の導体部材(5)と、前記第1の導体部材における前記半導体チップが接合された面(3b)とは反対側の面(3a)に電気伝導性を有する第3の接合部材(4)を介して接合された第3の導体部材(6)と、前記半導体チップ、前記第1の導体部材、前記第2の導体部材における前記半導体チップと接合している面(5a)、及び前記第3の導体部材における前記第1の導体部材と接合している面(6b)を封止する封止部材(9)とを有し、前記第1の導体部材と前記第3の導体部材との接合面積が、前記第1の導体部材と前記半導体チップとの接合面積よりも小さくなっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 25/04
, H01L 25/18
, H01L 23/29
, H01L 23/36
FI (3件):
H01L 25/04 Z
, H01L 23/36 A
, H01L 23/36 D
Fターム (6件):
5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BB01
, 5F036BB21
, 5F036BC06
, 5F036BE06
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