特許
J-GLOBAL ID:200903052487209673
半導体装置の実装構造及びその実装方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
清水 守 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-013835
公開番号(公開出願番号):特開平11-214447
出願日: 1998年01月27日
公開日(公表日): 1999年08月06日
要約:
【要約】【課題】 半田バンプが集中する熱応力を緩和して、半田バンプの熱疲労破壊を防止することができる半導体装置の実装構造及びその実装方法を提供する。【解決手段】 半田バンプを有する半導体装置の実装構造において、実装基板13と、この実装基板13の電極上に実装される一様にボイド14を有する半田バンプ15を有する半導体装置11を具備する。
請求項(抜粋):
半田バンプを有する半導体装置の実装構造において、(a)実装基板と、(b)該実装基板の電極上に実装される一様にボイドを有する半田バンプを有する半導体装置を具備する半導体装置の実装構造。
IPC (3件):
H01L 21/60 311
, H01L 21/60
, H01L 23/12
FI (4件):
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/92 602 R
, H01L 21/92 604 A
, H01L 23/12 L
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