特許

J-GLOBAL ID：200903052488841721

薄膜トランジスタの作製方法

発明者： 張 宏勇
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-086752
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275641
出願日： 1993年03月22日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 レーザーアニールによってドーピング不純物の活性化をおこなうTFTの製造方法において、不純物領域のコンタクト抵抗を低減せしめる方法を提供する。【構成】 薄膜状半導体領域を覆って、ゲイト絶縁膜を設け、また、該半導体領域を横断してゲイト電極を設ける。その後、このゲイト電極をマスクとして、ゲイト絶縁膜を通して、自己整合的にドーピング不純物を導入する。その後、層間絶縁物を形成し、コンタクトホールを設け、レーザーもしくはそれと同等な強光を照射することによってドーピング不純物の活性化をおこなう。しかるのちにソース、ドレインの電極を形成する。かくすることにより、レーザーアニールの際に半導体膜とゲイト絶縁膜が化合して生じる高抵抗膜ができないので、コンタクト抵抗を減じることができる。

請求項（抜粋）：

基板上に島状非単結晶半導体領域を形成する第1の工程と、前記非単結晶半導体領域を覆って絶縁被膜と、前記絶縁被膜上に、ゲイト電極を形成する第2の工程と、前記ゲイト電極をマスクとして不純物をドーピングする第3の工程と、前記ゲイト電極を覆って層間絶縁物を堆積する第4の工程と、前記層間絶縁物を通して、前記半導体領域の不純物のドーピングされた領域にコンタクトホールを形成する第5の工程と、前記層間絶縁物およびコンタクトホールを通してレーザーもしくはそれと同等な強光を照射することによって、前記半導体領域にドーピングされた不純物を活性化する第6の工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-034434
  
• 特開昭62-042436
  
• 特開昭63-155764