特許
J-GLOBAL ID：200903052493506574
半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-204895
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036193
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 NFPを安定させる構成を備えた半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本半導体レーザ素子10は、基板12上に、第1バッファ層14、第2バッファ層16、n型クラッド層18、活性層/ガイド層20、p型クラッド層22、及びp型キャップ層24のダブルヘテロ接合積層構造を備える。p型クラッド層22の上部及びp型キャップ層24は、ストライプ幅Wが100μmのリッジ状ワイドストライプとして形成され、リッジ状ワイドストライプの両側は電流非注入領域26となっている。p型キャップ層24の上層には、細い帯状の電流非注入領域28が、複数本、電流非注入領域26との境界線に平行な方向に延在している。本半導体レーザ素子10では、電流注入時、ストライプ内に設けられた電流非注入領域28の直下の活性層20内の部分34のキャリア密度が、それ以外の部分のキャリア密度より低い。これにより、活性層20内に利得分布が生じ、横モードが閉じ込められることになるので、NFPが安定する。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上にダブルヘテロ接合積層構造を備え、上部クラッド層の上部をストライプ状に形成して電流注入領域とし、かつストライプの両側を電流非注入領域としたストライプ型半導体レーザであって、複数本の帯状の電流非注入領域が、電流非注入領域との境界線に対して平行に、かつ相互に離隔してストライプの電流注入領域に形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
Fターム (8件)：
5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA61
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073BA07
, 5F073CA05
, 5F073EA18
