特許

J-GLOBAL ID：200903052504344989

磁気センサ

発明者： 遠藤 みち子 ,  清水 信▲吉▼ ,  丹治 成生
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-010008
公開番号（公開出願番号）：特開平5-264701
出願日： 1992年01月23日
公開日（公表日）： 1993年10月12日
要約：

【要約】【目的】 本発明は磁気センサに関し、磁気抵抗素子部と出力処理回路部と磁界発生部とを同一チップ上に形成して小型化すると共に製造容易な磁気センサを実現することを目的とする。【構成】 硬質磁性膜層よりなるバイアス磁界発生部2と強磁性薄膜磁気抵抗素子6と、該磁気抵抗素子6の出力を処理する回路部3とが同一チップ上に形成されて成るように構成する。

請求項（抜粋）：

硬質磁性膜層よりなるバイアス磁界発生部(2)と、強磁性薄膜磁気抵抗素子(6)と、該磁気抵抗素子(6)の出力を処理する回路部(3)とが同一チップ(1)上に形成されていることを特徴とする磁気センサ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公昭61-014769
  
• 特開昭64-051177