特許
J-GLOBAL ID：200903052510952621
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-207318
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029405
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の接続孔部をAl系金属膜により埋め込み、かつ写真製版時精度の良い重合わせができるようにする。【構成】 半導体装置の接続孔部を含む基板表面上に、基板加熱400〜600°Cの高温スパッタ法又はバイアススパッタ法により、あるいは基板加熱300°C以下にて成膜した後、400〜600°Cに加熱してリフローさせることにより、Al系金属膜6を形成した後、第2ステップのAl系金属配線膜7を基板加熱300°C以下にて形成する。【効果】 最上層の金属膜のグレインを小さくすることにより、表面モホロジーを良くし、アライメントマーク部での光の散乱を防止し、写真製版時の重ね合わせ精度を向上する。
請求項（抜粋）：
金属配線の接続のための接続孔を有する半導体装置を製造する方法において、第1のAl系金属配線を基板加熱温度400〜600°Cでの高温スパッタ法、またはバイアススパッタ法により上記接続孔およびアラインメントマーク部を埋め込んで形成する工程と、その上に第2のAl系金属配線を基板加熱温度室温以上200°C以下にて成膜する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
