特許
J-GLOBAL ID：200903052511192574
イオン注入装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-248806
公開番号（公開出願番号）：特開平5-089819
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【構成】 ターゲット13とドーズモニタ10とを空間的に異なる配置で有したイオン注入装置は、イオンビーム1の軸線上における前後2個所に配置された第1および第2多点モニタ8・15と、ターゲット13上の走査速度および走査方向におけるビームスポットの電流分布から走査方向での注入量分布を予測し、この注入量分布を積分して得られたターゲット13上およびドーズモニタ10上の予測注入量の比率と、ドーズモニタ10で測定したビーム電流量とを基にしてターゲット13への注入量を制御するCPU部2とを有しているもの。【効果】 ターゲット13上およびドーズモニタ10上の予測注入量の比率を基に、ドーズモニタ10での注入量をターゲット13への注入量に換算して注入量制御を行うため、高精度な注入量制御を行うことができる。
請求項（抜粋）：
走査されたイオンビームが入射されるターゲットとドーズモニタとを空間的に異なる配置で有したイオン注入装置において、上記イオンビームの軸線上における前後2個所に配置された多点モニタと、上記多点モニタから求められたイオンビームの走査速度と、走査方向におけるビームスポットの電流分布とで、ターゲット上およびドーズモニタ上の走査方向での注入量分布を予測し、この注入量分布を積分して求めたターゲット上の予測注入量とドーズモニタ上の予測注入量との比率と、ドーズモニタで測定したビーム電流量とを基にしてターゲットへの注入量を制御する制御手段とを有していることを特徴とするイオン注入装置。
IPC (4件)：
H01J 37/317
, H01J 37/04
, H01L 21/265
, G01T 1/29
