特許

J-GLOBAL ID：200903052516183115

パターン重ね合わせ方法及び露光装置

発明者： 毛利 竜彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-098954
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294489
出願日： 1999年04月06日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 正確にパターン重ね合わせを行うことができるパターン重ね合わせ方法を提供すること。【解決手段】 半導体ウエハWにおける所定領域1内で複数点の重ね合わせ測定を行った場合、得られた測定データからまず線形成分を除去する。所定領域1における各点についての像高のウエハ面内のばらつきを求める。そのばらつきが最も小さい像高に対応する測定ポイントの像高を基準像高とする。所定領域1内で複数点の重ね合わせ測定を行った場合、所定領域内の前記で求められた基準像高を基準として、その測定ポイントの重ね合わせ測定データと他の測定データとの減算を行う。その減算で得られた所定領域内の各像高の重ね合わせ測定データの所定領域間のばらつきに、ある判断基準を設定し、その判断基準を越えた測定データを除外する。前記で除去された値を同一ショット内の像高の平均値に線形成分を加えた値に置換する。

請求項（抜粋）：

パターン形成された被処理体の前記パターン上にパターンを重ね合わせる方法であって、前記被処理体における複数の所定領域内の複数点の高さデータから線形成分を除去した後に、前記複数点のうち基準像高となる点を設定する工程と、前記基準像高となる点の重ね合わせ測定データと前記所定領域における前記基準像高となる点以外の点の重ね合わせ測定データとの間の差分を求め、この差分の前記所定領域間のばらつきに対してしきい値判定を行って、前記しきい値を越える点の重ね合わせ測定データを除去する工程と、除去された重ね合わせ測定データを、前記所定領域内の像高の平均値に線形成分を加えた値に置換する工程と、を具備することを特徴とするパターン重ね合わせ方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 9/00

FI (3件)：

H01L 21/30 514 C ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 520 Z

Fターム (5件)：

5F046CC06 ,  5F046DA13 ,  5F046DB10 ,  5F046FC04 ,  5F046FC06