特許
J-GLOBAL ID:200903052520164192
不揮発性半導体記憶装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山本 秀策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-064082
公開番号(公開出願番号):特開2000-260190
出願日: 1999年03月10日
公開日(公表日): 2000年09月22日
要約:
【要約】【課題】通常の記憶装置との間でピン配置の互換性を持ち、外部デコーダ回路を必要としないデュアルワークの不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置を1チップ用いて、通常のフラッシュメモリを構成する場合は、入力バッファ13及びアドレス信号A19加工論理回路14がディスエーブル状態に設定される。内部制御信号/CE発生回路16は、制御信号/CEのみをピン/ceから入力バッファ12を介して外部から入力し、この制御信号/CEのみに応答して該1チップを動作可能な状態に設定する。同記憶装置を2チップ用いて、デュアルワークのフラッシュメモリを構成する場合は、入力バッファ13及びアドレス信号A19加工論理回路14がイネーブル状態に設定される。内部制御信号/CE発生回路16は、ピンa19から入力バッファ13を介してのアドレス信号A19の“H”及び“L”に応答して、2チップのいずれかを選択する。
請求項(抜粋):
記憶容量分のアドレス空間を指定するアドレス信号を入力する第1アドレスバッファ手段と、前記記憶容量分以上のアドレス空間を指定する第2アドレスバッファ手段と、前記第2アドレスバッファ手段をディスエーブルする制御手段とを備える不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件):
G11C 16/02
, G06F 12/00 550
, G11C 16/06
FI (3件):
G11C 17/00 601 Z
, G06F 12/00 550 C
, G11C 17/00 636 A
Fターム (7件):
5B025AA03
, 5B025AB01
, 5B025AC01
, 5B025AD01
, 5B025AE02
, 5B060AB14
, 5B060BA17
引用特許:
出願人引用 (4件)
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プロセッサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-110468
出願人:日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
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ICメモリ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-006219
出願人:三菱電機株式会社
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半導体パッケージ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-069104
出願人:現代電子産業株式会社
-
記憶制御装置および情報処理機器
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-135724
出願人:富士ゼロックス株式会社
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審査官引用 (4件)
-
プロセッサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-110468
出願人:日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
-
ICメモリ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-006219
出願人:三菱電機株式会社
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半導体パッケージ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-069104
出願人:現代電子産業株式会社
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