特許

J-GLOBAL ID：200903052522824980

半導体記憶装置

発明者： 原口 喜行 ,  和田 知久
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-294947
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144078
出願日： 1996年11月07日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 非選択のメモリセルへの誤ったデータの書込を防ぐことができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 ワード線とビット線対に接続された複数のメモリセルを含むメモリセルアレイ1nと、ワード線を選択的に活性化する行デコーダ6nと、ビット線対を選択的に活性化する列デコーダ7と、外部から接地電圧が供給される接地端子GNDと、接地端子GNDから不活性状態のワード線に供給される電圧に応じてビット線対の電位を上昇させるクランプ回路201とを備える。

請求項（抜粋）：

複数のワード線と、複数のビット線対と、前記ワード線を選択的に活性化する行デコーダと、前記ビット線対を選択的に活性化する列デコーダと、前記ワード線と前記ビット線対に接続された複数のメモリセルを含むメモリセルアレイと、接地電圧が供給される接地端子と、前記接地端子から不活性状態の前記ワード線に供給される電圧に応じて、前記ビット線対の電位を上昇させる電位上昇手段とを備える半導体記憶装置。