特許

J-GLOBAL ID：200903052525477431

半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者： 山口 城 ,  福山 俊一 ,  中田 義弘 ,  鈴木 克己
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-354304
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183158
出願日： 1998年12月14日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路装置及びその製造方法に関し、簡単な手段を採ることで、従来の層間絶縁膜に比較して低誘電率で、且つ、銅配線と組み合わせが可能な絶縁膜を実現させ、信号伝播遅延が少ない多層配線をもつ半導体集積回路装置が得られるようにする。【解決手段】 配線7Aと配線脇に在る層間絶縁膜3との間に空間3Bが設けられた構造を備える。

請求項（抜粋）：

配線と配線脇に在る絶縁膜との間に空間が設けられた構造を備えてなることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 21/764 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/76 A ,  H01L 21/90 N

Fターム (29件)：

5F033JJ11 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033RR25 ,  5F033RR30 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033XX27