特許

J-GLOBAL ID：200903052530421967

半導体ウエハの研磨方法およびその装置

発明者： 松田 広志 ,  松原 直 ,  森山 茂夫 ,  安井 感 ,  河合 亮成
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-133433
公開番号（公開出願番号）：特開平10-315131
出願日： 1997年05月23日
公開日（公表日）： 1998年12月02日
要約：

【要約】【課題】 ドレッシング状態を正確に制御できる研磨技術を提供する。【解決手段】 研磨盤13には研磨工具15が設けられ、ウエハキャリアに保持されたウエハは研磨工具15に接触されて研磨される。ドレッサ21により表面がドレッシングされた研磨工具15は、その表面状態が表面状態測定機23により測定され、研磨工具15のドレッシング終了が表面状態測定機23により測定された正面状態によって判定される。

請求項（抜粋）：

研磨工具に半導体ウエハの表面を接触させかつ前記研磨工具に研磨液を供給して前記研磨工具と前記半導体ウエハとを相対的に擦り付けて前記半導体ウエハを研磨する研磨工程と、前記研磨工具をドレッサによりドレッシングするドレッシング工程とを有する半導体ウエハの研磨方法であって、前記ドレッシング工程においてドレッシングされた前記研磨工具の表面状態を測定し、その測定値により前記研磨工具のドレッシング終了を判定するようにしたことを特徴とする半導体ウエハの研磨方法。

IPC (3件)：

B24B 53/00 ,  B24B 1/00 ,  H01L 21/304 321

FI (3件)：

B24B 53/00 A ,  B24B 1/00 A ,  H01L 21/304 321 M