特許
J-GLOBAL ID：200903052533494728
半導体のサブミクロンシリコン表面層の金属汚染物質の検出方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-091571
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003923
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェハのサブミクロンシリコン表面層の金属汚染を検出する迅速で簡単な方法。【解決手段】 高注入表面光電圧技術を使用してウェハに光子束を当て、ウェハの周波数分布プロットを得ることにより、半導体ウェハのサブミクロンシリコン表面層内の金属汚染物を検出する。周波数分布プロットから第1、第2光学チョップ周波数を選択し、半導体ウェハに第1光学チョップ周波数で光子束を照射し、選択したチョップ周波数における表面層上の電荷の分布とこの電荷の値を示す表面障壁高さマップを生成する。次に半導体ウェハの表面層に異なる第2光学チョップ周波数で光子束を照射し、第2表面障壁高さマップを生成する。次に、ウェハをアニーリングし、アニーリング後のウェハについて上記工程を繰り返し行い、アニーリング後のウェハの周波数分布プロットと表面障壁高さマップを生成する。これをアニーリング前のものと比較し、ウェハのサブミクロン表面層内の金属汚染物を測定する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハのシリコン層内の金属汚染物のレベルを非破壊で検出し測定する方法において、前記半導体ウェハ上の点に光学チョップ周波数の範囲で光子束を当て、前記光学チョップ周波数の範囲の前記ウェハの表面電荷値を示す、前記ウェハの第1周波数分布プロットを生成し、前記半導体ウェハを低温でアニーリングし、前記アニーリング後の半導体ウェハ上の点に光学チョップ周波数の範囲で光子束を当て、前記光学チョップ周波数の範囲の前記アニーリング後のウェハの表面電荷値を示す、前記ウェハの第2周波数分布プロットを生成し、前記第1周波数分布プロットと前記第2周波数分布プロットを比較し、前記半導体ウェハの前記シリコン層内の金属汚染物のレベルを測定する、ステップを備えることを特徴とする検出測定方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, G01N 21/00
, G01N 21/88
, G01N 27/60
H01L 21/66 L
, G01N 21/00 B
, G01N 21/88 E
, G01N 27/60 A
