特許

J-GLOBAL ID：200903052547607525

形成用基板、窒化物系III-V族化合物層、窒化物系III-V族化合物基板の製造方法および半導体素子

発明者： 渋谷 勝義
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-052308
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237192
出願日： 2000年02月24日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】 均一に加熱することができ、反りを防止することができる形成用基板、並びにそれを用いた窒化物系III-V族化合物層、窒化物系III-V族化合物基板の製造方法および半導体素子を提供する。【解決手段】 形成用基板10は、輻射線の吸収率を高める添加物11aを含有する基板本体11を有している。基板本体11を構成する母材としては、サファイア,炭化ケイ素あるいは窒化物系III-V族化合物が用いられる。添加物11aとしては、ガリウム,アルミニウム,インジウムあるいはホウ素が用いられる。形成用基板10に輻射線が照射されると、その一部は形成用基板10に吸収され、それによって生じた輻射熱により形成用基板10は均一に加熱される。よって、形成用基板10の反りは抑制され、形成用基板10の上に組成のばらつきが少ない良質の窒化物系III-V族化合物を成長させることができる。

請求項（抜粋）：

サファイアまたは炭化ケイ素または3B族元素のうちの少なくとも1種と5B族元素のうちの少なくとも窒素とを含む窒化物系III-V族化合物のいずれか1種に、ガリウム,アルミニウム,インジウムおよびホウ素からなる群のうちの少なくとも1種が添加された基板本体を有することを特徴とする形成用基板。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 G ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343

Fターム (41件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BB01 ,  4G077BE08 ,  4G077BE41 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077EF03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045BB11 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DP04 ,  5F045EK12 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA14