特許

J-GLOBAL ID：200903052551098546

シクロデキストリン誘導体とその製造方法

発明者： 寺西 克倫
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-059096
公開番号（公開出願番号）：特開2002-256003
出願日： 2001年03月02日
公開日（公表日）： 2002年09月11日
要約：

【要約】【課題】 シクロデキストリンを構成するD(+)-グルコピラノース単位の内、1つのD(+)-グルコピラノースを挟む2個のD(+)-グルコピラノース2単位の2位水酸基を選択的にジスルホニル化したシクロデキストリン誘導体を、簡便に、一段階で、温和な条件下で、選択的に効率良く製造する方法を提供することをはじめ、ここで得られたジスルホニル化シクロデキストリン誘導体の官能基変換の方法を提供する。【解決手段】次式(A)【化1】(式中のnは、6以上の整数を示す)で表わされるシクロデキストリン誘導体の製造に際し、次式(B)【化2】(式中のmは前記の整数を示す)で表わされるシクロデキストリンと、次式(C)【化3】で表わされる1,4-ジベンゾイルベンゼン-3′,3′′-ジスルホニルイミダゾールとを反応させる。

請求項（抜粋）：

次式(A)【化1】(式中のnは、6以上の整数を示す)で表わされるシクロデキストリン誘導体の製造方法であって、次式(B)【化2】(式中のnは、前記の整数を示す)で表わされるシクロデキストリンと、次式(C)【化3】で表わされる1,4-ジベンゾイルベンゼン-3′,3′′-ジスルホニルイミダゾールとを反応させることを特徴とする前記シクロデキストリン誘導体の製造方法。

IPC (2件)：

C08B 37/16 ,  A23L 1/22

FI (2件)：

C08B 37/16 ,  A23L 1/22 C

Fターム (17件)：

4B047LB08 ,  4B047LG28 ,  4B047LP16 ,  4C090AA02 ,  4C090AA05 ,  4C090BA09 ,  4C090BA97 ,  4C090BB04 ,  4C090BB29 ,  4C090BB32 ,  4C090BB63 ,  4C090BB76 ,  4C090CA06 ,  4C090CA07 ,  4C090DA23 ,  4C090DA27 ,  4C090DA32