特許

J-GLOBAL ID：200903052551800801

半導体装置

発明者： 武田 実
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-170583
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082637
出願日： 1991年02月13日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 分離がトレンチアイソレーションのみにより行われる領域と、分離が選択酸化によってのみ行われる領域とを備えた半導体装置において、その二つの領域間の形状の制御性を高め、領域間分離領域の分離能力を高くする。【構成】 半導体基板の上記両領域間に数μmの間隔を設けて領域間分離領域となす。

請求項（抜粋）：

素子間分離がトレンチアイソレーションのみにより行われる領域と、素子間分離が選択酸化によってのみ行われる領域とを備えた半導体装置において、上記両領域が形成された半導体基板の該両領域間に間隔を設けて領域間分離領域としてなることを特徴とする半導体装置

IPC (3件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 21/94 A ,  H01L 27/06 102 D