特許

J-GLOBAL ID：200903052554411067

基板表面の平坦化方法

発明者： 鈴木 幸栄
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-211019
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045687
出願日： 1995年07月26日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置内におけるグローバルな平坦性と局所平坦性をともに達成する。【解決手段】 シリコン基板101の表面に熱酸化膜102を形成し、パターン化した後、それをマスクにして溝103,104を形成する。その上に、下地依存性のあるTEOS-O3NSG膜105をO3/TEOS比=10の条件で成膜する。その後、3%フッ酸にてTEOS-O3NSG膜105をエッチングすると、エッチングレート比が5であり、熱酸化膜102上のTEOS-O3NSG膜105を全て除去すると凹部に約1μmのNSG膜105が残り、溝103,104が平坦化される。

請求項（抜粋）：

凹凸のあるシリコン基板の突部上に絶縁膜を形成し、凹部にシリコン基板を露出させた状態とする工程、有機シランとオゾンを用いたCVD法でオゾンと有機シランとの流量比を設定して、シリコン基板上に成膜した膜よりも絶縁膜上に成膜した膜の方がエッチングレートが速くなるような下地依存性をもつシリコン酸化膜を、凹部を埋め込むのに必要な膜厚に堆積する工程と、突部上のシリコン酸化膜を選択的に除去するエッチング工程と、を備えた基板表面の平坦化方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/302 L ,  H01L 21/76 N ,  H01L 21/94 A