特許
J-GLOBAL ID：200903052556106776
半導体受光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-219884
公開番号（公開出願番号）：特開平9-051120
出願日： 1995年08月04日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：
【要約】【課題】入出力関係が非線形のフォトトランジスタを提供すること。【解決手段】n型半導体基板101上に設けられたi型ソース層102と、i型ソース層102上に設けられ、キャリア蓄積速度制御機構を有するp型ゲート層103と、p型ゲート層103上に設けられ、光を吸収して電子および正孔を発生するi型ドレイン層104とを有し、非能動状態における、i型ソース層102からi型ドレイン層104に流れる電子電流は、i型ドレイン層104で発生する正孔がp型ゲート層103に注入されることにより制御され、かつp型ゲート層103内に蓄積された正孔がp型ゲート層103から流出する速度が能動状態における場合のそれよりも速いことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に設けられたソース層と、このソース層に接して設けられ、キャリア蓄積速度制御機構を有する第2導電型のゲート層と、このゲート層に接して設けられ、光を吸収して第1極性型および第2極性型キャリアを発生するドレイン層とを具備してなり、非能動状態における、前記ソース層から前記ドレイン層に流れる第1極性型キャリアによる電流は、前記ドレイン層で発生する第2極性型キャリアが前記ゲート層に注入されることにより制御され、かつ前記ゲート層内に蓄積された第2極性型キャリアが前記ゲート層から流出する速度が能動状態における場合のそれよりも速いことを特徴とする半導体受光素子。
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 31/10 E
