特許
J-GLOBAL ID：200903052567981555
結晶育成装置および結晶育成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宇高 克己 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-319212
公開番号（公開出願番号）：特開平11-157987
出願日： 1997年11月20日
公開日（公表日）： 1999年06月15日
要約：
【要約】【課題】 ガドリウムバナデイト単結晶のようなファセット成長が強いものであっても、ファセット成長を抑えることが出来、育成結晶が一定の断面形状を持ち、製品への加工も容易で、かつ、大型の希土類バナデイト単結晶を得ることである。【解決手段】 原料融液上昇用の導路を設けたダイを具備し、EFG法により結晶を育成するに際して用いられる結晶育成装置であって、前記ダイの上面には傾斜面が形成されてなり、前記傾斜面は、該傾斜面と育成結晶のファセット成長面とのなす角度が±15°以内にあるよう形成されたものである結晶育成装置。
請求項（抜粋）：
原料融液上昇用の導路を設けたダイを具備し、EFG法により結晶を育成するに際して用いられる結晶育成装置であって、前記ダイの上面には傾斜面が形成されてなり、前記傾斜面は、該傾斜面と育成結晶のファセット成長面とのなす角度が±15°以内にあるよう形成されたものであることを特徴とする結晶育成装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 15/34
, C30B 29/30 D
