特許
J-GLOBAL ID：200903052572299215
銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-168640
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016418
出願日： 1997年06月25日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】同時焼成して得られたビアホール導体とガラスセラミック磁器との界面の接着強度が高く、安定した接着強度が得られ、焼成過程での収縮率が一致してガラスセラミック磁器表面のビアホール部に該ビアホール導体が突出する等の異常がなく、かつ誘電率が低く、低抵抗の導体を有する各種回路基板や高周波用多層配線基板等に好適なガラスセラミック配線基板を得る。【解決手段】主成分としてCu又はCu2 O、あるいはCu-Cu2 O混合物又はCu-CuO混合物に、軟化点が700〜1000°Cのガラスフリットを総量で0.5〜35.0重量%含有したビアホール用の銅メタライズ組成物を用いて800〜1000°Cの温度でガラスセラミック磁器と同時焼成する。
請求項（抜粋）：
800〜1000°Cの温度でガラスセラミック磁器と同時焼成可能なビアホール用の銅メタライズ組成物であって、主成分のCu又はCu2 O、あるいはCu-Cu2 O混合物又はCu-CuO混合物に対して、軟化点が700〜1000°Cのガラスフリットを総量で0.5〜35.0重量%含有したことを特徴とする銅メタライズ組成物。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01B 1/16 Z
, H05K 1/09 Z
