特許
J-GLOBAL ID：200903052576891844
露光方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-317764
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152191
出願日： 1991年12月02日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 焦点位置に関するレチクル毎の固有のオフセットに係わらず正確な焦点位置で露光を行う。【構成】 最初のAレチクルを用いて焦点信号検出系20により少なくとも2つの焦点位置を求める。次に少なくとも2つの焦点位置の変化量(a1 -a)を求める。AレチクルからBレチクルへ交換後、変化量(a1 -a)に基づいたオフセット量を偏差検出系AFに加え、Bレチクルの露光を行う。
請求項（抜粋）：
マスク上に設けられた所定のパターンを所定結像面に結像する投影光学系と、前記パターンの前記投影光学系による焦点面を検出する焦点検出手段と、基板を載置するとともに、前記投影光学系の光軸方向に該基板を移動可能な移動手段と、前記光軸方向に関する前記所定結像面と前記基板との偏差を検出し、該偏差に応じた検出信号を出力する偏差検出手段と、前記焦点検出手段からの信号に基づいて、前記偏差検出手段、もしくは前記移動手段にオフセット量を加える補正手段とを有する投影露光装置を使用し、複数のマスク上に設けられた各々のパターンを投影光学系を介して順次基板上に重ね合わせ露光する露光方法において、前記焦点検出手段により、第1マスクでの第1焦点面を検出するとともに該検出から所定時間経過後、該第1マスクでの第2焦点面を検出する少なくとも2つの検出工程を有する第1工程と;前記第1焦点面と前記第2焦点面との変化量を求める第2工程と;前記第1マスクから第2マスクへ交換する第3工程と;前記第2マスクの露光を前記第2工程でもとめた変化量に基づいた第1オフセット量で行う第4工程とを備えたことを特徴とする露光方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
