特許
J-GLOBAL ID:200903052576927423
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-298951
公開番号(公開出願番号):特開平11-130837
出願日: 1997年10月30日
公開日(公表日): 1999年05月18日
要約:
【要約】【課題】 成形性、低反り性、耐半田クラック性に優れる、特にBGAパッケージに適した半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。【解決手段】 一般式(1)で示されるスチルベン型エポキシ樹脂と一般式(2)で示されるスチルベン型エポキシ樹脂との混合物の融点が50〜150°Cであるもの、一般式(3)で示されるフェノール樹脂、硬化促進剤、及び無機充填材を必須成分とすることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
請求項(抜粋):
(A)一般式(1)で示されるスチルベン型エポキシ樹脂と一般式(2)で示されるスチルベン型エポキシ樹脂との混合物の融点が50〜150°Cであるもの、(B)一般式(3)で示されるフェノール樹脂、(C)硬化促進剤、及び(D)無機充填材を必須成分とすることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。【化1】(ここで、R1〜R8は、それぞれ独立に、炭素数1〜6の鎖状、又は環状アルキル基、水素原子、又はハロゲン原子を示す。炭素-炭素二重結合に結合している2個のアリール基は互いに異なる。)【化2】(ここで、R9〜R12は、それぞれ独立に、炭素数1〜6の鎖状、又は環状アルキル基、水素原子、又はハロゲン原子を示す。炭素-炭素二重結合に結合している2個のアリール基は互いに同じである。)【化3】(式中、mは1〜10。nは0、もしくは1又は2。R13は、メチル基、メトキシ基、又はターシャリブチル基を示し、同一でも異なっていても良い。)
IPC (6件):
C08G 59/24
, C08G 59/62
, C08K 9/06
, C08L 63/00
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (5件):
C08G 59/24
, C08G 59/62
, C08K 9/06
, C08L 63/00 C
, H01L 23/30 R
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