特許
J-GLOBAL ID：200903052580731509
半導体パッケージ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-148881
公開番号（公開出願番号）：特開平9-331015
出願日： 1996年06月11日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】半田めっきしたリードフレーム間の半田成長をなくし、半導体パッケージの歩留まりを向上させること。【解決手段】半田めっき/銅合金からなるリードフレームにおいて、めっき処理中に銅合金素材中の成分が表面に析出して酸化物となっても、半田が成長しないような十分な厚さの銅めっき膜を銅合金素材表面上に設けた半導体パッケージ及びそれに用いるリードフレーム。
請求項（抜粋）：
半導体素子と該半導体素子の電気信号を外部に導き出すリードフレームと、前記半導体素子と外部環境より遮断する半導体封止手段とを備えた半導体パッケージにおいて、前記リードフレームが銅合金からなり、かつ該リードフレームのアウターリード部のみに、基材の銅合金表面に銅めっき膜が形成され、更に該銅めっき膜は半田めっき膜により被覆されていることを特徴とする半導体パッケージ。
FI (3件)：
H01L 23/50 V
, H01L 23/50 A
, H01L 23/50 D
